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清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案 -- 1 元

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编号: 334   大小: 0.87 MB   格式: doc   上传时间: 2018-03-21 23:10
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习题 解答 清华大学
文档简介:
第一章 半导体基础知识
自测题
一、 (1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)× 二、 (1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C 三、UO1≈1.3V UO2=0 UO3≈-1.3V UO4≈2V UO5≈2.3V UO6≈-2V 四、UO1=6V UO2=5V 五、根据 PCM=200mW 可得:UCE=40V 时 IC=5mA,UCE=30V 时 IC≈6.67mA,UCE =20V 时 IC=10mA,UCE=10V 时 IC=20mA,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图 略。 六、1、
IB  V BB  U Rb
BE

 26 μ A

I C   I B  2 . 6 mA U
CE

 V CC  I C R C  2 V

UO=UCE=2V。 2、临界饱和时 UCES=UBE=0.7V,所以
IC  IB  Rb  V CC  U Rc IC
CES

 2 . 86 mA



 28 . 6μA

V BB  U IB

BE

 45 . 4 k 

七、T1:恒流区;T2:夹断区;T3:可变电阻区。

习题
1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A 1.2 不能。 因为二极管的正向电流与其端电压成 指数关系,当端电压为 1.3V 时管子会因电流过大而 烧坏。 1.3 ui 和 uo 的波形如图所示。

u i /V
10 O

t

u o /V
10 O

t

1

1.4 ui 和 uo 的波形如图所示。
u i /V
5 3 O -3

t

u O/V
3.7 O -3.7

t

1.5 uo 的波形如图所示。
u I1/V
3 0.3 O

t

u I2 /V
3 0.3 O

t

u O /V
3.7 1 O

t

1.6 ID=(V-UD)/R=2.6mA,rD≈UT/ID=10Ω ,Id=Ui/rD≈1mA。 1.7 (1)两只稳压管串联时可得 1.4V、6.7V、8.7V 和 14V 等四种稳压值。 (2)两只稳压管并联时可得 0.7V 和 6V 等两种稳压值。 1.8 IZM=PZM/UZ=25mA,R=UZ/IDZ=0.24~1.2kΩ 。 1.9 (1)当 UI=10V 时,若 UO=UZ=6V,则稳压管的电流为 4mA,小于其最小稳定 电流,所以稳压管未击穿。故
U  RL R  RL U  3 . 33 V

O

I

当 UI=15V 时,由于上述同样的原因,UO=5V。 当 UI=35V 时,UO=UZ=5V。 (2) I D  (U I  U Z ) R  29mA>IZM=25mA,稳压管将因功耗过大而损坏。
Z

1.10 (1)S 闭合。 (2) R min  ( V  U
D

) I Dmax

 233  , R max

 (V  U

D

) I Dmin

 700  。

2

1.11 波形如图所示。
u I /V
6 3 0 u O1 /V 3 0

t

t

u O2 /V
3 0

t

1.12 60℃时 ICBO≈32μ A。 1.13 选用β =100、ICBO=10μ A 的管子,其温度稳定性好。 1.14
1.01mA 5mA

(a)

(b)

1.15 晶体管三个极分别为上、中、下管脚,答案如表 T1 T2 T3 T4 管号 e c e b 上 b b b e 中 c e c c 下 PNP NPN NPN PNP 管型 Si Si Si Ge 材料 1.16 当 VBB=0 时,T 截止,uO=12V。 当 VBB=1V 时,T 处于放大状态。因为
I BQ  V BB  U Rb
BEQ

T5 c e b PNP Ge

T6 b e c NPN Ge

 60μA , I CQ   I BQ  3 mA , u O  V CC  I CQ R C  9 V

当 VBB=3V 时,T 处于饱和状态。因为
I BQ  V BB  U Rb
BEQ

 160 μ A , I CQ   I BQ  8 mA , u O  V CC  I CQ R C < U

BE

1.17 取 UCES=UBE,若管子饱和,则

V CC  U Rb
BE



V CC  U RC

BE

, R b   R C ,所以



Rb RC

 100 管子饱和。

1.18 当 uI=0 时,晶体管截止,稳压管击穿,uO=-UZ=-5V。 当 uI=-5V 时,晶体管饱和,uO=0.1V。因为
IB  uI  U Rb
BE

 480 μA

I C   I B  24 mA

3

U

EC

 V CC  I C R C < V CC

1.19(a)可能 (b)可能 (c)不能 (d)不能,T 会损坏。 (e)可能 1.20 根据方程
i D  I DSS (1  u GS U
GS(th)

)

2

逐点求出确定的 uGS 下的 iD,可近似画出转移特性和输出特性。在输出特性中,将各条曲线 上 uGD=UGS(off)的点连接起来,便为予夹断线。 1.21

1.22 过 uDS 为某一确定值(如 15V)作垂线,读出它与各条输出特性的交点的 iD 值; 建立 iD=f(uGS)坐标系,根据前面所得坐标值描点连线,便可得转移特性。 1.23 uI=4V 时 T 夹断,uI=8V 时 T 工作在恒流区,uI=12V 时 T 工作在可变电阻区。 1.24 (a)可能 (b)不能 (c)不能 (d)可能 2章

第二章 基本放大电路
自测题
一、 (1)× (2)√ (3)× (4)× (5)√ (6)× (7)× 二、 (a)不能。因为输入信号被 VBB 短路。 (b)可能 (c)不能。因为输入信号作用于基极与地之间,不能驮载在静态电压之上,必然失真。 (d)不能。晶体管将因发射结电压过大而损坏。 (e)不能。因为输入信号被 C2 短路。 (f)不能。因为输出信号被 VCC 短路,恒为零。 (g)可能。 (h)不合理。因为 G-S 间电压将大于零。 (i)不能。因为 T 截止。 三、 (1) (V CC  U (2)  U
BEQ

) I BQ

565

;

(V CC  U

CEQ

)  I BQ

3

o

U

i

- 120

;

RL R C+ R L

U

' o

0.3

四、 (1)A (2)C (3)B (4)B 五、 (1)C,D E (2)B (3)A C D (4)A B D E (5)C (6)B C E,A D 六、

4


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